开关频率高的现代功率半导体装置容易受到潜在损坏性电压峰值脉冲的影响。波涌电压保护电容器（如EPCOSB32620-J或B32651.56）通过吸收电压脉冲限制峰值电压，从而保护半导体装置，使波涌电压保护电容器成为功率元件库的重要组成部分。半导体装置的额定电压和电流值及其开关频率是波涌电压保护电容器的选择。由于这些电容器具有陡峭的DV/DT值，薄膜电容器是该应用程序的适当选择。

在额定电压值高达2000VDC的情况下，典型的电容额定值在470PF~47NF之间。对于IGBT等大功率半导体设备，电容值可高达2.2μF，电压在1200VDC范围内。电容器不能仅仅根据电容值/电压值来选择。在选择浪涌电压保护电容器时，还应考虑所需的DV/DT值。耗散因子决定了电容器内部的功耗。因此，应选择损耗较低的电容器作为替换。