薄膜电容发展现状
2021-06-18 16:20:00
近20年来,薄膜电容技术有了长足的发展,使电容器的体积、重量降低了3~4倍,其技术水平也有了较大提高,卷绕方法和烘烤工艺也有所提高。薄膜电容具有许多优点,因而在DC滤波电路上取代电解电容。
薄膜电容的主要优点如下:
1.无极性
2.绝缘阻抗非常高。
3.良好的频率特性(频响宽)
4.介电损失不大。
因此,薄膜电容在模拟电路中得到了广泛的应用。特别是信号传递部分,必须使用频率特性好、介质损耗极小的电容,才能保证信号在传输时,不致造成信号内容过大的失真。但是,薄膜电容器主要有两种材料,聚丙烯跟聚丙烯腈两种材料,其主要特点就是耐高温。如CBB电容、安规电容、耐高压电容等均使用聚丙烯薄膜。
薄膜电容具有许多优点,使得薄膜电容迅速发展,并开始逐步取代电解电容成为大功率电力电子设备市场的主流趋势。
一、承受高有效电流的能力,可达300mA/μF。
二、抗浪涌能力强,可承受1000V/1S的浪涌电压1000次。
三、能够承受沿河底升沿比值1.2μs或8μs:20μs的2.5KV尖峰电压。
四、承受高峰值电流能力,DV/DT可达100V/μs,电感量小,充放电速度快。
五、耐压能力强,能够承受额定电压1.5倍的过压。
六、无极性,可长时间承受反向脉冲电压。
七、介质损耗小,温度特性好,可在120℃下长时间工作。
八、体积小,寿命长,无酸污染。
九、存放时间长。
然而,一般薄膜容量不能完全等量替代,而不是等值容量替代,一般薄膜容量仅为电容的1/2~2/3。